电子元器件的降额等级可以参考《 标准——元器件降额准则GJB/Z35-93》，一般可分成三个降额等级：Ⅰ级降额：I级降额是的降额，适用于设备故障将会危及安全，导致任务失败和造成严重经济损失的情况。Ⅱ级降额：工作应力减小对元器件可靠性增长有明显效益，适用于设备故障会使工作任务降级，或需支付不合理的维修费用。Ⅲ级降额：Ⅲ级降额是的降额，相对来说元器件成本也较低。适用于设备故障对工作任务的完成只有小的影响，或可迅速、经济地加以修复。如果时间太慢，工作电器有可能会停机，UPS就没有意义了。从下图实测波形分析看，被测UPS是满足标准要求的，电压上升也较快，只是这输出的波形真的如用户手册写的一样是准方波，这应该是端的型号了吧。谐波含量之类的参数就不要奢求了，如果想看看频谱分布，可以打机器数 算或FFT的频谱分析功能查看。逆变时输出的方波导致很抖的电流尖峰，对工作电器和周边电磁环境很不利。 直接的体验就是电流噪声特别大，且带载越大噪声越大。终端电阻的作用对于RS-485总线，终端电阻主要是为了匹配通信线的特性阻抗，防止信号反射，提高信号质量。在组建RS-485总线网络时，通常使用特性阻抗为120Ω的屏蔽双绞线，由于RS-485收发器输入阻抗一般较高（RSM485ECHT输入阻抗为96kΩ， 多可连接256个节点），在信号传输到总线末端时会由于受到的瞬时阻抗发生突变（以RSM485ECHT为例，阻抗由120Ω变为96kΩ），导致信号发生反射，影响信号的质量。
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由于在导通期间，Vds与Ids的值都很小，和8位示波器的量化误差相当。可以将Vds波形导通时的波形放大观察，同样也会出现前文提到的台阶状现象。而HRO的高分辨率特性使这种误差大大减小。通过对比测试，8位示波器测量的导通损耗是1.5W，HRO测量的导通损耗是688mW。使用低分辨率示波器的工程师，也许会花费很多精力物力去降低导通损耗，殊不知测量结果主要是量化误差。而HRO的高分辨率特性使这种误差大大减小。半导体生产流程由晶圆，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，晶圆和芯片封装讨论较多，而测试环节的相关知识经常被边缘化，下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容，主要集中在WAT，CP和FT三个环节。集成电路设计、、封装流程示意图WAT（WaferAcceptanceTest）测试，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），对Wafer划片槽（ScribeLine）测试键（TestKey）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定，CMOS的电容，电阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据，测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT测试机台上，由WATRecipe自动控制测试位置和内容，测完某条TestKey后，ProbeCard会自动移到下一条TestKey，直到整片Wafer测试完成。
与十年前相比，现在的电子产品具有更多的功能。工程师们不得不设计精密的系统，常以“创造性”满足严格的功率预算，以保持高能效。预测系统的维护和保护需要快速反应系统的响应。一个关键功能是监测系统的电流消耗和压降。在所有的电流检测法中，使用放大器监测分流的电流是到目前为止 常用的方法。电流检测可以使用电流检测放大器(CSA)或带有外部增益设置电阻的运算放大器(OpAmp)来实现()。这两者的选择，取决于性能要求和物料单(BOM)的目标成本。
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