如何判别单、双向可控硅？先任测两个极，若正、反测指针均不动（万用表选电阻R*1Ω挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。所以一定要保持一定的半径，使激光在纤芯里传输时，避免产生一些不必要的损耗。。野外接续盒一定要密封好，防止进水。熔接盒进水后，由于光纤及光纤熔接点长期浸泡在水中，可能会光纤测试光纤在架设，熔接完工后就是测试工作，使用的仪器主要是OTDR测试仪或光源光功率计，用加拿大EXFO公司的FTB-100B便携式中文彩色触摸屏OTDR测试仪( db),可以测试，光纤断点的位置；光纤链路的全程损耗；了解沿光纤长度的损耗分布；光纤接续点的接头损耗。其中半导体器件(包括：半导体分立器件、集成电路等)大多数是辐射敏感器件，辐射环境对这些器件的性能会产生不同程度的影响，甚至使其失效。针对各种辐射效应，在器件的材料、电路设计、结构设计、工艺及封装等各个环节采取加固措施，使其具有一定的抗辐射性能。选择抗辐射加固的器件应用在空间辐射环境中，将能提高航天器的可靠性和使用寿命;应用在战略 中，将能提高其效能和突防能力。空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE);核辐射环境尤其是核环境，主要产生瞬时电离辐射总剂量效应、中子辐射效应和电磁脉冲损伤效应。

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模拟设计中的热噪声几乎总属于寄生特性，需要不惜一切代价加以避免。输入滤波、PCB板面布局和接地连接都是良好模拟系统中 重要的因素，但用户总能在模拟系统中找到一定量的Johnson-Nyquist热噪声和闪烁噪声。另一种噪声源，即量化噪声比热噪声和其他噪声源更重要。当信号从模拟转为数字时会产生量化噪声。显示了4位模数转换器(ADC)数字化正弦波这一极端实例中获得的量化噪声当您用尺子测量物体时，需要实际读取尺子的刻度来测量物体的大小，对吧?但如果物体的尺寸介于两个刻度之间会怎么样呢?如果必须在量尺刻度的两个点之间进行选择，那么您会选择 接近物体实际尺寸的刻度。方波振荡电路采用模拟分立元件或单片压控函数发生器以及FPGA都可以产生方波，但是采用模拟器件由于元件分散性太大，参数也与外接部件有关，外接电阻电容对参数影响太大，影响系统的稳定性，故本系统用FPGA产生方波。FPGA系统板上有晶振，可以产生高精度高稳定度的基准频率。利用镇相环可以输出频率稳定的信号源，如果对输出信号再进行分频就可以得到步进频率较细的频率源。分频的方法可以使用锁相环来实现。操作方便，输出信号稳定性好，可以产生频率为晶振的约数的任意频率。

因此可以使用较为经济的陶瓷振荡器。图2所示为适用于汽车电子中振荡器误差的位定时规格。图2位定时段的规格（适用于振荡器误差）通常位定时的规格首先通过所需要的位速率来确定。位时间必须为系统时钟周期的整数倍。位时间tbit＝n×tq（n＝4..25，tq为时间量）。确定时参数的一种方法是首先确定传输段的长度，因此必须考虑到的总线长度和内部延迟时间。将往返的延迟时间转换成对应时间量的数目并取四舍五入为tq的整数倍。