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文章来源:yndl1381 发布时间:2024-04-29 10:24:50

滤波器的储存属性造成了振铃现象,即信号中增加了多余周期。群延时显示了提升滤波器占据的时长。低频凸起具有很长的振铃,这不足为奇。群延时与滤波器频率成反比(与波长成正比),相位偏移相等时,频率越低,群延时越长。为方便演示,我们以所示的信号链路为例。我们输入一个测试信号,看看将发生什么。为2通道示波器显示的结果。蓝色轨迹为1000Hz6.5周期的小波。这是DonKeele测试信号中的一个。红色轨迹为此信号通过一个1000Hz提升滤波器之后的结果。因此会出现测量误差。所以,对于两条紧密相关的谱线,其分辨力取决于滤波器的带宽。我们以测量载波电平为例,对仪器的分辨带宽设置加以比较,是分辨带宽分别是(由下到上)30KHZ、300KHZ、3MHZ的频谱曲线(输入为单个载波信号),在设置分辨带宽时,我们考虑的是仪器是否能充分响应输入信号时有足够的带宽,正确的方法是展宽滤波器的带宽,当在屏幕上观察到信号载波幅度不再增加时,就表示中频滤波器对输入信号的响应已有足够的带宽了。晶闸管又叫可控硅,是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件,主要并广泛应用于整流、逆变、调压及关等方面,对可控硅性能进行检测,对于电控系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成,即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极。

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半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂,在器件中,电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型(n还是p)、自由载流子密度和迁移率。为确定半导体范德堡法电阻率和霍尔电压,进行电气测量时需要一个电流源和一个电压表。为自动进行测量,一般会使用一个可编程关,把电流源和电压表切换到样本的所有侧。A-SCS参数分析仪拥有4个源测量单元(SMUs)和4个前置放大器(用于高电阻测量),可以自动进行这些测量,而不需可编程关。本文主要介绍一下采样率和分辨率对于信号发生器输出波形的影响。DDS和Arb的原理简介DDS模式在DDS模式下,信号发生器使用一个特别的缓存访问机制和时钟机制来实现DDS模式。使用DDS模式可以输出一个高精度频率的波形。传统的模式是输出储存器中波形的每个样点,与传统的模式不同DDS模式在缓存中储存着单个周期的大量采样点,使用DDS技术可以让函数发生器或者是任意波形发生器从缓存中选择输出哪个样本点。

对互联网带来的资源消耗需求是“疏”而不是“堵”,解决的思路之一是在空口对业务加以识别和支持。这样的需求对监测仪表的发展提出了新的要求,要求空口测试仪表能识别、分析业务,并与底层信令和物理层过程进行关联分析,以共同应对互联网的挑战。第二,从测试方式来看,测试数据采集技术自动化程度还不够高,仍有大量的数据采集通过人力来完成,工作效率有较大提升空间。数据自动化分析水平、智能分析功能及管理能力各地区发展参差不齐,东部沿海发达省份水平较高,中西部区域则有待提升。