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发布:2024/4/17 16:17:26 来源:yndl1381

在频谱分析仪中,内部的微器可以改变中频增益从而补偿输入衰减器的变化。所以当改变输入衰减器时,分析仪输入的信号在显示器上的位置并不改变,只是显示的噪声上下。这时参考电平保持不变。如下图所示,当衰减从10dB增加到20dB,DANL上升而信号电平保持不变。的输入衰减(0dB)将会获得信噪比,但不幸的是此时的阻抗匹配也是 差的,因此尽量避免0dB的设置。当被测信号远大于噪声电平时,可以设置为自动衰减。 的新型传感器之一:单芯片雷达片上系统(system-on-chip,SoC),其在汽车中的广泛采用大幅提高了销量,从而促进了价格的下降。这些精密的IC器件对汽车商而言至关重要,对其它应用也同样有很大的吸引力。在汽车应用领域,尽管IC器件将继续占据主导地位,设计人员也在探索一系列新用途可以提高安全性和便利性。谁能想到单芯片雷达呢?虽然现在多个商已经设计出多种形式的单芯片雷达。大多数 已经发出24GHz、76-81GHz、94GHz频段的芯片。低时延是5G区别于前几代通信的主要特征,但也给承载网尤其是5G前传承载网带来了极大挑战。uRLLC业务要求时延小于1ms,分配给承载网设备的时延非常苛刻,传统的承载设备几十微秒的时延难以满足要求,为5G承载带来了极大挑战。另一方面,5G业务的带宽需求也有着大幅的增长,在C-RAN架构下,一个典型的5G 的前传带宽达到了3-6路25G,传统的光纤直驱难以满足需求。作为综合通信解决方案商,中兴通讯在低时延高可靠性传输方面有着深厚的技术积累。

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再简单一点,就是考虑更好的散热吧。功率管发热功率管的功耗分成两部分,关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,关损害要远大于导通损耗。关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。testo89红外热成像仪因其高热灵敏度、高分辨率、德图专利的湿度成像功能,顺利完成检测任务。解决方案德图 来到洞窟后,对现场评估。洞内的石像在古代依山凿而成,历经朝代更迭,石像表面进行了泥塑彩绘并以这样的姿态流传现今。此次,针对此类石窟石像,有三个检测目标:发现裂纹检测佛像表面的泥塑裂纹,使得文物修复 尽早发现并着手修复。当泥塑的裂纹扩大到肉眼可见甚至始脱落时,石像的修复难度就越大。佛像均有十几米高,近距离检查佛像本体十分不便。

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